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| Lugar de origem | China |
| Marca | MITSCN |
| Certificação | ISO |
RS9-650_670MBG (módulo bifacial 210-132 com vidro duplo)
Sistema Completo e Certificação de Produto IEC IEC 61215(2016),IEC 61730(2016) ISO9001: 2015:Sistema de Gestão da Qualidade ISO14001: 2015:Sistema de Gestão Ambiental ISO45001:2018:Sistema de Gestão de Saúde e Segurança Ocupacional
· Adequado para usinas terrestres e projetos distribuídos
· A tecnologia de módulo avançada oferece eficiência de módulo superior
·Wafer dopado com gálio·Corte não destrutivo ·Meio corte MBB
· Excelente desempenho de geração de energia
·Excelente IAM e fraca resposta à luz ·Classificações de baixa temperatura
·0,45% de declínio linear de energia
· A alta qualidade do módulo garante confiabilidade a longo prazo
·Material rigorosamente selecionado ·Tecnologia avançada ·Padrão líder
· Técnicas de revestimento autolimpante ultra-hidrofílico
| Características Elétricas STC | RS9-650MBG-E1 | RS9-655MBG-E1 | RS9-660MBG-E1 | RS9-665MBG-E1 | RS9-670MBG-E1 | ||||||
| Potência Máxima (Pmax) | 650W | 655 W | 660W | 665 W | 670W | ||||||
| Tolerância de energia | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | ||||||
| Eficiência do módulo | 20,92% | 21,09% | 21,25% | 21,41% | 21,57% | ||||||
| Corrente de Potência Máxima (Imp) | 17.27A | 17.31A | 17h35 | 17.39A | 17.43A | ||||||
| Tensão Máxima de Potência (Vmp) | 37,70V | 37,90V | 38.10V | 38.30V | 38,50V | ||||||
| Corrente de Curto Circuito (Isc) | 18h35 | 18h40 | 18h45A | 18h50 | 18h55A | ||||||
| Tensão de Circuito Aberto (Voc) | 45,50V | 45,70V | 45,90V | 46,10 V | 46,30 V | ||||||
Valores em condições de teste padrão STC(AM1.5, Irradiância 1000W/m², Temperatura da Célula 25°C)
| Características Elétricas NOCT | RS9-650MBG-E1 | RS9-655MBG-E1 | RS9-660MBG-E1 | RS9-665MBG-E1 | RS9-670MBG-E1 |
| Potência Máxima (Pmax) | 492 W | 495W | 499 W | 504 W | 509 W |
| Corrente de Potência Máxima (Imp) | 14.01A | 14h05A | 14.10A | 14.16A | 14.23A |
| Tensão Máxima de Potência (Vmp) | 35,10 V | 35,20V | 35,40V | 35,60V | 35,80V |
| Corrente de Curto Circuito (Isc) | 14.79A | 14.83A | 14.87A | 14.91A | 14h95A |
| Tensão de Circuito Aberto (Voc) | 42,90V | 43,00 V | 43,20V | 43,40V | 43,60V |
NOCT, lrradiância de 800W/m², AM1.5, temperatura ambiente 20 °C, velocidade do vento 1m/s.
| Características Elétricas com 21% ganho de potência do lado traseiro |
RS9-650MBG-E1 | RS9-655MBG-E1 | RS9-660MBG-E1 | RS9-665MBG-E1 | RS9-670MBG-E1 |
| Potência Máxima (Pmax) | 786,5 W | 792,6W | 798,6W | 804,7 W | 810,7 W |
| Corrente de Potência Máxima (Imp) | 20.90A | 20.95A | 20.99A | 21.04A | 21.09A |
| Tensão Máxima de Potência (Vmp) | 37,70V | 37,90V | 38,10 V | 38,30 V | 38,50V |
| Corrente de Curto Circuito (Isc) | 22h20 | 22.26A | 22.32A | 22.39A | 22h45 |
| Tensão de Circuito Aberto (Voc) | 45,50V | 45,70V | 45,90V | 46,10 V | 46,30 V |
| Características mecânicas | Características | |||
| Tipo de célula | Tipo MonoP, 210 × 210 (±1) mm, 132 (6 × 22) células semicortadas | Coeficiente de temperatura de Voc | -0,27%/°C | |
| Vidro | 2mm+2mm, Alta Transmissão, Baixo Ferro, Vidro Temperado | Coeficiente de temperatura de Isc | +0,04%/°C | |
| Quadro | Liga de Alumínio Anodizado | Coeficiente de temperatura de Pmax | -0,35%/°C | |
| caixa de junção | Classificação IP68, com diodos de desvio | Temperatura operacional nominal da célula (NOCT) | 45°C±2°C | |
| Dimensão | 2384x1303x35mm | Observação:Os dados elétricos deste catálogo não se referem a um único módulo e não fazem parte da oferta. Servem apenas para comparação entre diferentes tipos de módulos. | ||
| Cabo de saída | 4 mm² (EU),300 mm,comprimento personalizável | |||
| Peso | 38,7kg | |||
| Localização do Furo de Instalação | Ver desenho acima | |||
| Informações de embalagem | Classificações máximas | |||
| Recipiente | QG de 40' | Temperatura de operação | -40°C~+85°C | |
| Paletes por contêiner | 18 | Tensão Máxima do Sistema | 1500VCC | |
| Peças por Recipiente | 558 | Classificação Máxima do Fusível da Série | 35A | |
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